ATP Premium RAM

In jedem DDR-SDRAM Modul befinden sich Speicherchips, die aus zahlreichen integrierten Schaltkreisen (ICs) bestehen und über lange Zeiträume hinweg zuverlässig arbeiten müssen. Dieser Artikel zeigt die zusätzlichen Qualitätseigenschaften von ATP Premium RAM Modulen.

Eigenschaften Speichermodule

		Herkömmlicher Speicher	Herkömmlicher Server-Speicher (Server Grade)	ATP Premium RAM (Enterprise Grade)	ATP RAM Wide Temp (Industrial Grade)
PCB (Printed Circuit Board)	PCB Layer	variiert	6-10 Layer
	Gold Finger	<= 10µ"	30µ"
Testprozess	System Test		POT (Power On Test)	100% on board Testing
	Modul Funktionstest			ATE	ATE & Module-Level TDBI
RMA Prozess	Reparatur oder Austausch	✔
	Fehleranalyse auf Modul-Ebene			✔
	8D Report			✔
DDPM Management (Defective Parts per Million)	Definierte Qualität PPM	<3500ppm	<2000ppm	<500ppm
	DPM Überwachung			Überwachung von DPM-Fehlern im Feld
Produktwechsel (PCN)	LTB (Last Time Buy)	variiert	1 Monat	1 Quartal
	LTS (Last Time Ship)	variiert	1 zusätzliches Monat (NCNR PO)	1 zusätzliches Quartal (NCNR PO)
Herstellergarantie	Garantiezeit	variiert	2 oder 3 Jahre	10 Jahre

Leiterplatten (PCB) Eigenschaften

ATP DRAM Module haben eine Goldfinger-Beschichtung mit einer Dicke von 30µ".

ATP DRAM Module bestehen aus 6-10 Lagen PCB.

Die Dicke der Goldfinger sowie die Anzahl der Lagen des PCB haben Einfluss auf die Qualität eines Arbeitsspeicher-Moduls.

Goldfinger

Goldfinger sind die vergoldeten Randsteckerkontakte auf der DRAM-Leiterplattenbaugruppe (PCB). Sie werden als solche bezeichnet, weil sie lang und schmal sind und an Finger erinnern. Sie sind vergoldet, um die Leiterplatte vor Abnutzung zu schützen. Um die Qualität der Signalübertragung zwischen dem Steckverbinder und dem ATP-DRAM-Modul zu gewährleisten, verwendet ATP eine Goldfinger-Beschichtung mit einer Dicke von 30µ".

PCB Layer

Darüber hinaus besteht die Platine selbst aus 6-10 Lagen gedruckter Leiterplattenbaugruppen (PCB), die eine bessere Signalqualität sowie Haltbarkeit des Moduls gewährleisten.

Testabläufe

Automatic Testing Equipment (ATE)

Funktionstests mit Automatic Testing Equipment (ATE) erkennen Komponentendefekte und strukturelle Defekte im Zusammenhang mit der DIMM-Baugruppe und filtern Module mit marginale Timing- und Signalintegritätsempfindlichkeiten (SI) heraus. ATE bietet elektrische Testmuster mit verschiedenen Parametereinstellungen, wie Randspannung (marginal voltage), Signalfrequenz (signal frequency), Takt (clock), Befehlstiming (command timing) und Datentiming (data timing) unter kontinuierlichem thermischen Zyklus. Das ATE-Testsystem kann einzelne defekte ICs oder DRAM-PC-Platinen lokalisieren und bietet damit eine effizientere Methode zur Fehleranalyse sowohl für die Entwicklung neuer Produkte als auch für die Massenproduktion.

Test During Burn-In (TDBI)

Das ATP-TDBI-System testet DRAM-Module bei extrem hohen/niedrigen Temperaturen, bei hoher/niedriger Spannung und mit Mustern. Das System besteht aus:

• Die Miniaturkammer, in der die Temperaturzyklen nur auf das zu prüfende Modul beschränkt sind, um die übrigen Prüfsysteme nicht thermisch zu belasten. Dadurch wird der Ausfall anderer Testkomponenten, wie z. B. der Hauptplatinen, minimiert. In herkömmlichen großen Wärmekammern sind die Ausfälle von nicht-DRAM-bezogenen Testkomponenten konstant, da das gesamte System thermisch belastet wird.
• Modul-Riser-Adapter von der Hauptplatine, die ein einfaches Einsetzen von Modulen in Produktionsmengen ermöglichen.
• Mehrere Temperatursensoren, die Temperaturprofile regulieren und in einem breiten Testtemperaturbereich von -40°C bis 95°C arbeiten

Durch beschleunigte Prüfverfahren wie TDBI sinken Ausfallraten und verlängert sich die Produktlebensdauer, indem es sicherstellt wird, dass sich nur robuste DRAM-Chips auf dem Modul befinden. Selbst ein Fehler von nur 0,01 % auf einem zu 99,99 % effektiven Baustein kann die Ausfallraten auf Modulebene erhöhen und zu einem Ausfall in der Praxis führen. TDBI erkennt und sondert bis zu 0,01 % Fehler aus, um die Zuverlässigkeit der DRAM-Module sicherzustellen.

Weitere Informationen

• DRAM Stress to Fail Test for Maximum Reliability (www.atpinc.com/blog, 16.12.2020)
• ATP’s Fastest “Industrial Only” DDR4 Memory Modules Meet the Need for Speed (www.atpinc.com/blog, 01.04.2020)
• ATP’s Fast, Low-Power “Industrial Only” DDR4-3200 DRAM Solutions Deliver Memory Boost to AMD EPYC™ and 2nd Generation Intel® Xeon® Scalable Processors (www.atpinc.com, Pressrelease 02.03.2020)

Einzelnachweise

Autor: Werner Fischer Werner Fischer arbeitet im Product Management Team von Thomas-Krenn. Er evaluiert dabei neueste Technologien und teilt sein Wissen in Fachartikeln, bei Konferenzen und im Thomas-Krenn Wiki. Bereits 2005 - ein Jahr nach seinem Abschluss des Studiums zu Computer- und Mediensicherheit an der FH Hagenberg - heuerte er beim bayerischen Server-Hersteller an. Als Öffi-Fan nutzt er gerne Bus & Bahn und genießt seinen morgendlichen Spaziergang ins Büro.